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产品介绍
主要厂家:infineon、sanrex,westcdoe ,semikron ,eupec,ir,poseico,powerex等。
igbt模块是由igbt(绝缘栅双*型晶体管芯片)与fwd(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的igbt模块直接应用于变频器、ups不间断电源等设备上;
igbt模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的igbt也指igbt模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;
igbt是能源变换与传输的**器件,俗称电力电子装置的“cpu”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用*广。

动态特性
动态特性又称开关特性,igbt的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关过程中各部分时间;另一个是开关过程中的损耗。
igbt 的开关特性是指漏*电流与漏源电压之间的关系。igbt 处于导通态时,由于它的pnp 晶体管为宽基区晶体管,所以其b 值*低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过mosfet 的电流成为igbt 总电流的主要部分。此时,通态电压uds(on) 可用下式表示::
uds(on) = uj1   udr   idroh
式中uj1 —— ji 结的正向电压,其值为0.7 ~1v ;udr ——扩展电阻rdr 上的压降;roh ——沟道电阻。
通态电流ids 可用下式表示:
ids=(1 bpnp)imos
式中imos ——流过mosfet 的电流。
由于n  区存在电导调制效应,所以igbt 的通态压降小,耐压1000v的igbt 通态压降为2 ~ 3v 。igbt 处于断态时,只有很小的泄漏电流存在。
igbt 在开通过程中,大部分时间是作为mosfet 来运行的,只是在漏源电压uds 下降过程后期, pnp 晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间,tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏*电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和,漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。
igbt的触发和关断要求给其栅*和基*之间加上正向电压和负向电压,栅*电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时,必须基于以下的参数来进行:器件关断偏置的要求、栅*电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为igbt栅*- ***阻抗大,故可使用mosfet驱动技术进行触发,不过由于igbt的输入电容较mosfet为大,故igbt的关断偏压应该比许多mosfet驱动电路提供的偏压更高。
igbt在关断过程中,漏*电流的波形变为两段。因为mosfet关断后,pnp晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏*电流较长的尾部时间,td(off)为关断延迟时间,trv为电压uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏*电流的下降时间tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而漏*电流的关断时间

主要销售国际的整流管,晶闸管、快速晶闸管、电力模块等产品。总公司已在香港、台湾和东南亚享**气数十载。主要销售世界各地电力电子器件,主要包括功率模块、igbt模块、可控硅模块、整流桥模块、二极管模块、igbt单管和驱动板、单三相整流桥模块、快恢复二极管、肖特基二极管、保险丝、熔断器和气动元件。主要包括英飞凌、欧派克、日本三社、ixys艾赛斯、abb、poseico、westcode、西门康、富士、三菱、新电源、东芝、ir、摩托罗拉、西门子、美国巴斯曼、法国罗兰等功率模块。 
我公司力争“追求、创造、树立、服务客户”的质量方针,以“客户利益至上,产品质量”为宗旨。真诚希望与您建立长期稳定、互惠互利的关系。

栅*上的噪声电平
在有电噪声的环境中,如果栅*上的噪声电压超过vgt,并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈,则也会被触发导通。
应用安装时,首先要使栅*外的连线尽可能短。当连线不能很短时,可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后g与mt1之间加一个1kω的电阻来降低其灵敏度,也可以再并联一个100nf的电容,来滤掉高频噪声。
2、德国西门]康semikron:  igbt模块;可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二极管。
3、德国英飞凌infineon:  igbt模块;  pim模块;可控硅模块。
4、德国艾赛斯ixys:快速恢复二极管模块;可控硅模块。
5、日本三菱mitsubishi:  igbt模块;  ipm模块;  pim模块。
6、日本富士fuji:  igbt模块;  ipm模块;三相整流桥模块。
7、美国威士vishay:螺栓二极管;螺栓可控硅。
8、日本东芝toshiba:  igbt模块;整流桥模块;  gto门*关断可控硅。
9、igbt无感吸收电容:美国cde;加拿大eaco:德国epcos。    
10、英国西码westcode:平板型可控硅;平板型二极管;螺栓型可控硅、螺栓型二极管。  
11、意大利poseico:平板型可控硅;平板型二极管。
12、英国达尼克斯dynex:平板型可控硅;平板型二极管、gto  ]*可关断可控硅
13、瑞士abb:平板型可控硅;平板型二极管、gto门*可关断可控硅。
14、快速熔断器:美国bussmann。
欢迎来到上海秦邦电子科技有限公司网站, 具体地址是上海上海市奉贤区奉浦工业区奉浦大道111号7楼3247室,联系人是林女士。
主要经营企业主要销售品牌包括:可控硅模块,英飞凌igbt模块,二极管模块,整流桥模块,熔断器保险丝,进口晶闸管,德国西门康可控硅。。
单位注册资金未知。
产品参数
  • 价格面议
  • 数量9999.00 个
  • 发货地址上海上海
  • 行业
  • 更新时间2022-06-12 16:13:47
  • 查看人数53
  • 信息编号228227546
  • 公司编号2380357
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